DRAM用来作为图形系统的帧缓冲区。即使有干扰来扰乱电压，当干扰消除时，电路就会恢复到稳定值。RAM断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。一旦将数据写入ROM芯片，就无法将其删除，只能读取。ROM被称为非易失性，现在有很多非易失性存储器。由于历史原因，虽然ROM中有的类型可以读也可以写，但是整体上都被称为只读存储器。
dram的主要工作参数?在很长一段时间，宏旺半导体带来了存储各个版块的干货，可以翻阅往期文章查阅，今天宏旺半导体将做个小总结，系统阐述存储器，有不出入的地方欢迎指出哦，我来为大家科普一下关于dram的主要工作参数?以下内容希望对你有帮助!
dram的主要工作参数
在很长一段时间，宏旺半导体带来了存储各个版块的干货，可以翻阅往期文章查阅，今天宏旺半导体将做个小总结，系统阐述存储器，有不出入的地方欢迎指出哦。
存储介质基本分类：ROM和RAM
RAM：随机访问存储器(Random Access Memory)，易失性。是与CPU直接交换数据的内部存储器，它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。它的作用是当开机后系统运行占一部分外，剩余的运行内存越大，手机速度越快，运行的程序越多，剩余越少。
ROM：只读存储器(Read Only Memory)，非易失性。一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变。计算机中的ROM主要是用来存储一些系统信息，或者启动程序BIOS程序，这些都是非常重要的，只可以读一般不能修改，断电也不会消失。关于ROM的一些新发展，宏旺半导体也在之前的文章中详细讲过。
今天要带来的内容就在下面一张图里，先来讲讲RAM和ROM，两者相比，的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会自动消失，可以长时间断电保存。
随机访问存储器：RAM
随机访问存储器分为两类：静态的和动态的。静态的RAM（SRAM）比动态RAM（DRAM）更快，但也贵很多。SRAM用来作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下。DRAM用来作为图形系统的帧缓冲区。
SRAM：SRAM存储器单元具有双稳态特性，只要有电，它就会永远的保持它的值（有点类似ROM易失性）。即使有干扰来扰乱电压，当干扰消除时，电路就会恢复到稳定值。
DRAM：动态RAM。
SDRAM：同步DRAM。
DDR SDRAM（Double Data-Rate Synchronous DRAM）：双倍数据速率同步 DRAM。
DDR2：不同类型的DDR SDRAM。
DDR3：不同类型的DDR SDRAM。
RAM断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。现在手机中的RAM一般是由LPDDR担当，尤其是速度快功耗低的LPDDR4X在市面上的旗舰手机中占比较大，宏旺半导体今年也推出了LPDDR4X 8GB，满足市场应用所需，广泛应用于手机、平板、超薄笔记本等领域。
只读存储器：ROM
计算机存储器在其上数据已被预先记录。一旦将数据写入ROM 芯片，就无法将其删除，只能读取。与主存储器（RAM）不同，即使计算机关闭，ROM也会保留其内容。ROM被称为非易失性，现在有很多非易失性存储器。由于历史原因，虽然ROM中有的类型可以读也可以写，但是整体上都被称为只读存储器（Read Only Memory）。ROM是以它们能够被重新编程（写）的次数和对它们进行重编程所用的机制来区分的。
PROM（Programmable ROM）：可编程ROM，只能被编程一次。
EPROM（Erasable Programmable ROM，EPROM）：可擦写可编程ROM，擦写可达1000次。
EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）电子可擦除EPROM。
闪存（flash memmory）：基于EEPROM，它已经成为一种重要的存储技术。固态硬盘（SSD）U盘等就是一种基于闪存的存储器。
nor flash ：NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
nand falsh：NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
希望这篇文章能给大家带来帮助，更系统地了解存储器，有任何有疑问的地方都可以来找宏旺半导体，欢迎关注哦~
